组件的主要成分是单晶硅，其导电性能介于导体和绝缘体之间，属于半导体。完全不含杂质且无晶体格缺陷的纯净半导体成为本征半导体。单晶硅属于4价原子，其化学结构比较稳定。为了增加其导电性能，我们往往在单晶硅中掺入五价的施主原子或三价的受主原子。因此而形成P型组件和N型组件。

      N型组件是在单晶硅组件中，掺入少量化合价为5的元素，如磷（P）、锑（Sb）等。这些5价元素的原子代替硅晶格中的某些硅原子时，它会提供一个额外的电子，使得组件中电子密度远大于空穴密度。自由电子越多，电阻率越小，从而增加组件的导电性能。

      P型组件是在单晶硅组件中，掺入少量化合价为3的元素，如铝（Al）、硼（B）等。这些3价元素的原子代替硅晶格中的某些硅原子时，它会提供一个额外的空穴，使得组件中空穴密度远大于电子密度。空穴的增加，降低电阻率，从而增加组件的导电性能。

      除了掺杂的元素外，在制备技术方面也不相同。P型组件主要以PERC电池技术为主，N型 电池的制备技术主要包括TOPCon电池、异质结电池和XBC电池等技术。

      P型组件的制备工艺相对简单，成本相对较低，是目前市场上的主流型号，但光电转换效率不如N型组件。 N型组件的虽然制备工艺相对更加复杂，但在光电转换效率表现更加优秀。

      首先，N型组件的双面率高，在地表反射率高的电站中发电量增益更高。其次，N型组件的温度系数更低，即在高温环境下受影响更小。再次，在综合输出功率相同的情况下，N型组件全生命周期的发电量更多，衰减率更低，发电效率更高。 最后，N型组件在弱光条件下对光谱的响应更好，有效工作时间长。总的来说，N型组件的经济效益更好，但价格也相对更高。